| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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BG3430RH6327 |
6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | Infineon Technologies | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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BG3430RH6327参数 产品类别：分离式半导体产品-RF FET 说明：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档晶体管类型：2 N-通道（双） 频率：800MHz 增益：25dB 电压 - 测试：5V 额定电流：25mA 噪音数据：1.3dB 电流 - 测试：14mA 功率 - 输出：- 电压 - 额定：8V |
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热门型号： 圆形UTS6JC12E10S 陶瓷电容器SR305A103JAR FET - 阵列SI5980DU-T1-GE3 固定式SWT-0.83-248 FET - 阵列SI5975DC-T1-GE3 DC DC ConVE-26K-MU-F4 逻辑 - 栅极和逆MC74LVX132DT 铝电容器50RX3047M8X11.5 电阻器网络，阵列742C083471JTR 晶体管(BJT) BCR166WE6327 |
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